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晨熙家族

 

 

 

 

產(chǎn)品參數(shù)

 

 

器件

GW2A-18

GW2A-55

邏輯單元(LUT4)

20,736

54,720

寄存器(FF)

15,552

41,040

分布式靜態(tài)隨機存儲器S-SRAM(bits)

41,472

109,440

塊狀靜態(tài)隨機存儲器B-SRAM(bits)

828K

2,520K

塊狀靜態(tài)隨機存儲器數(shù)目B-SRAM(個)

46

140

乘法器(18x18 Multiplier)

48

40

鎖相環(huán)(PLLs)

4

6

I/O Bank 總數(shù)

8

8

最多用戶 I/O

384

608

核電壓

1.0V

1.0V

封裝

間距(mm)

尺寸(mm)

E-pad尺寸(mm)

GW2A-18

GW2A-55

QN88

0.4

10x10

6.74x6.74

66(22)

-

LQ144

0.5

20x20

-

119(34)

-

EQ144

0.5

20x20

9.74x9.74

119(34)

-

MG196

0.5

8x8

-

114(39)

-

PG256

1.0

17x17

-

207(73)

-

PG256S

1.0

17x17

-

192(72)

-

PG256SF

1.0

17x17

-

192(71)

-

PG256C

1.0

17x17

-

190(64)

-

PG256CF

1.0

17x17

-

190(65)

-

PG256E

1.0

17x17

-

162(29)

-

PG484

1.0

23x23

-

319(78)

319(76)

PG1156

1.0

35x35

-

-

607(96)

UG324

0.8

15x15

-

239(90)

240(86)

UG324F

0.8

15x15

-

-

240(86)

UG324D

0.8

15x15

-

-

240(71)

UG484

0.8

19x19

-

379(94)

-

UG484S

0.8

19x19

-

-

344(91)

UG676

0.8

21x21

-

-

525(97)

 


 

 

器件

GW2A-18(車規(guī)級)

GW2A-55(車規(guī)級)

邏輯單元(LUT4)

20736

54720

寄存器(FF)

15552

41040

分布式靜態(tài)隨機存儲器 SSRAM(bits)

41472

109440

塊狀靜態(tài)隨機存儲器 BSRAM(bits)

828K

2,520K

塊狀靜態(tài)隨機存儲器數(shù)目 BSRAM(個)

46

140

乘法器(18x18 Multiplier)

48

40

最多鎖相環(huán)(PLLs)[1]

4

6

I/O Bank總數(shù)

8

8

最大I/O數(shù)

384

608

核電壓

1.0V

1.0V

封裝

器件

可用的PLL

QN88

GW2A-18(車規(guī)級)

PLLL1/PLLR1

PG256

GW2A-18(車規(guī)級)

PLLL/PLLR

封裝

間距(mm)

尺寸(mm)

E-pad尺寸(mm)

GW2A-18(車規(guī)級)

GW2A-55(車規(guī)級)

QN88

0.4

10 x10

6.74 x 6.74

66(22)

PG256

1

17 x 17

207(73)

注:[1] 不同封裝支持的鎖相環(huán)數(shù)量不同,最多支持6個鎖相環(huán)。

 


 

 

  器件

GW2AR-18

  邏輯單元(LUT4)

20,736

  寄存器(FF)

15,552

  分布式靜態(tài)隨機存儲器S-SRAM(bits)

41,472

  塊狀靜態(tài)隨機存儲器B-SRAM(bits)

828K

  塊狀靜態(tài)隨機存儲器數(shù)目B-SRAM(個)

46

  SDR/DDR SDRAM(bits)

64M/128M

  PSRAM(bits)

64M

  乘法器(18X18 Multiplier)

48

  鎖相環(huán)(PLLs)

4

  I/O Bank總數(shù)

8

  最多用戶I/O

384

  核電壓

1.0V

封裝

器件

Memory類型

位寬

容量

可用PLL

LQ144[1]

GW2AR-18

SDR SDRAM

32 bits

64M bits

PLLL0/PLLL1/PLLR0/PLLR1

EQ144[1]

GW2AR-18

SDR SDRAM

32 bits

64M bits

EQ144P[1][2]

GW2AR-18

PSRAM

16 bits

64M bits

EQ144PF[1][2]

GW2AR-18

PSRAM

16 bits

64M bits

QN88

GW2AR-18

SDR SDRAM

32 bits

64M bits

PLLL1/PLLR1

QN88P[2]

GW2AR-18

PSRAM

16 bits

64M bits

QN88PF[2]

GW2AR-18

PSRAM

16 bits

64M bits

LQ176

GW2AR-18

DDR SDRAM

16 bits

128M bits

PLLL1/PLLR0/PLLR1

EQ176

GW2AR-18

DDR SDRAM

16 bits

128M bits

封裝

間距(mm)

尺寸(mm)

E-pad尺寸(mm)

GW2AR-18

LQ144

0.5

20x20

-

120(35)

EQ144

0.5

20x20

9.74 x 9.74

120(35)

EQ144P

0.5

20x20

9.74 x 9.74

120(35)

EQ144PF

0.5

20x20

9.74 x 9.74

120(35)

QN88

0.4

10x 10

6.74 x 6.74

66(22)

QN88P

0.4

10x 10

6.74 x 6.74

66(22)

QN88PF

0.4

10x 10

6.74 x 6.74

66(22)

LQ176

0.4

20x20

-

140(45)

EQ176

0.4

20x20

6x6

140(45)

 

注:[1] LQ144封裝和EQ144 / EQ144P/EQ144PF封裝的VCCPLLL1與VCC內(nèi)部短接在一起,詳細信息請參考封裝手冊。

       [2] 'P'表示PSRAM;'F'表示與QN88P/EQ144P相比,QN88PF/EQ144PF調(diào)整了部分管腳

 


 

 

  器件

GW2ANR-18

  邏輯單元(LUT4)

20,736

  寄存器(FF)

15,552

  分布式靜態(tài)隨機存儲器S-SRAM(bits)

41,472

  塊狀靜態(tài)隨機存儲器B-SRAM(bits)

828K

  塊狀靜態(tài)隨機存儲器數(shù)目B-SRAM(個)

46

  NOR FLASH(bits)

32M

  SDR SDRAM(bits)

64M

  乘法器(18X18 Multiplier)

48

  最多鎖相環(huán)(PLLs)

4

  I/O Bank總數(shù)

8

  最多用戶I/O

384

  核電壓

1.0V

封裝

器件

Memory類型

位寬

容量

可用PLL

QN88

GW2ANR-18

SDR SDRAM

32 bits

64M bits

PLLL1/PLLR1

NOR FLASH

1 bit

32M bits

封裝

間距(mm)

尺寸(mm)

E-pad尺寸(mm)

GW2ANR-18

QN88:QFN

0.4

10x10

6.74x6.74

66(22)

封裝

間距(mm)

尺寸(mm)

E-pad尺寸(mm)

GW2ANR-18

UG676

0.8

21x21

-

525(97)

 

 


 

 

器件

GW2AN-9X

GW2AN-18X

邏輯單元(LUT4)

10368

20736

寄存器/鎖存器(Registers/Latches)

7776

15552

分布式靜態(tài)隨機存儲器 BSRAM(bits)

41472

41472

塊狀靜態(tài)隨機存儲器 BSRAM(bits)

540K

540K

塊狀靜態(tài)隨機存儲器數(shù)目 BSRAM(個)

30

30

NOR Flash

16M bit

16M bit

最多鎖相環(huán)(PLLs)

2

2

Global Clock

8

8

High Speed Clock

8

8

LVDS (Mb/s)

1250

1250

MIPI (Mb/s)

1200

1200

I/O Bank總數(shù)

9

9

最大I/O數(shù)

TBD

384

核電壓(LV版本)

1.0V

1.0V

核電壓(EV版本)

1.2V

1.2V

核電壓(UV版本)

2.5V/3.3V

2.5V/3.3V

封裝

器件

可用的PLL

PG256

GW2AN-18X

PLLL/PLLR

UG256

GW2AN-18X

PLLL/PLLR

UG324

GW2AN-18X

PLLL/PLLR

UG332

GW2AN-18X

PLLL/PLLR

UG400

GW2AN-18X

PLLL/PLLR

UG484

GW2AN-18X

PLLL/PLLR

封裝

間距(mm)

尺寸(mm)

E-pad尺寸(mm)

GW2AN-9X

GW2AN-18X

UG484

0.8

19 x 19

 

383(96)

393(96)

UG400

0.8

17 x 17

335(95)

335(95)

UG256

0.8

14 x 14

 

207(86)

207(86)

PG256

1

17 x 17

207(86)

207(86)

UG332

0.8

17 x 17

-

279(82)

UG324

0.8

15 x 15

 

279(74)

279(74)

PG484

1

23 x 23

 

-

381(96)

注:文檔中GW2AN系列FPGA產(chǎn)品封裝命名采用縮寫的方式,請參考5.1器件命名;
JTAGSEL_N和JTAG管腳是互斥管腳,JTAGSEL_N引腳和JTAG下載的4個引腳(TCK、TDI、TDO、TMS)不可同時復(fù)用為I/O,此表格的數(shù)據(jù)為JTAG下載的4個引腳復(fù)用為I/O時的情況。詳細信息請參考GW2AN系列FPGA產(chǎn)品封裝與管腳手冊

 

  器件

GW2AN-55

  邏輯單元(LUT4)

54,720

  寄存器(FF)

41,040

  分布式靜態(tài)隨機存儲器S-SRAM(bits)

109,440

  塊狀靜態(tài)隨機存儲器B-SRAM(bits)

2,520K

  塊狀靜態(tài)隨機存儲器數(shù)目B-SRAM(個)

140

  NOR FLASH(bits)

32M

  乘法器(18X18 Multiplier)

40

  最多鎖相環(huán)(PLLs)

6

  I/O Bank總數(shù)

8

  最多用戶I/O

608

  核電壓

1.0V

封裝

器件

可用PLL

UG676

GW2AN-55

PLLL/PLLR